本视频分为2个部分。第2部分对比了UnitedSiC第三代和最新第四代器件的主要规格参数，以及分享一些设计应用提示。
本视频分为2个部分，第1部分讲述了UnitedSiC（Qorvo）级联型场效应管的结构组成以及一些基本特性。
当从硅升级到碳化硅（SiC）时，一个常见的挑战是由快速开关速度引起的噪声和电磁干扰。在本视频中，UnitedSiC将分享如何克服这一挑战，并充分利用SiC FET的潜力。
【案例研究】在本视频中，阿尔卑斯阿尔派的李智介绍了如何将 UJ4C075018K4S750V 18mΩ SiC FET 应用于 TriMagiC Converter™ 的全桥电路主开关，以实现小型化和 96.8% 的高峰值转换效率。
新推出1200V第四代SiC FET系列具有从23mΩ到70mΩ的6种RDS（on）和封装，是电动车车载充电器、工业电池充电器、工业电源、直流太阳能逆变器、焊机、不间断电源和感应加热应用中主流的800V总线结构的理想选择。
UnitedSiC已发布业界最佳的750V、6mΩ器件响应了电源设计人员对更高性能、更高效率的SiC FET的需求。这款6mΩ新器件的RDS(on)值不到最接近的SiC MOSFET竞争产品的一半，并且还提供了鲁棒的5μs额定短路耐受时间。虽然提供最低的传导损耗对大多数应用至关重要，但许多应用还需要一定程度的短路强度。具体来说，电机驱动逆变器应该有一些方法来防止短路故障时发生灾难性故障。
本视频重点介绍了UnitedSiC FET独特的共源共栅结构。您将了解为什么我们的SiC FET具有最低的RdsA，并了解共源共栅结构带来的好处。
本视频重点介绍了UnitedSiC第四代SiC FET在市场上的竞争优势，并分享针对快速开关的使用建议。
本视频演示了Qorvo的PAC5556和新的UnitedSiC FET如何结合起来，创建一个高度集成的电机控制解决方案，使设计更快、更容易。这种高度集成的解决方案减少了组件数量，并创建了更可靠、更小和更强劲的系统设计。
UnitedSiC亚太区现场应用工程师经理Richard Chen介绍了UnitedSiC 从18mΩ到60mΩ 多种750V SiC FET产品在图腾柱PFC应用中的弹性，及其如何帮助设计人员实现了更大的设计灵活性、实现最佳的性价比。
图腾柱无桥PFC是一种结构简单的PFC拓扑，同时可以实现很高的效率以及功率双向转换的功能。本视频中，UnitedSiC工程师介绍了UnitedSiC 第4代750V 碳化硅FET的突破性性能，以及它如何实现简单和高性价比的高效率图腾柱PFC设计，并在一个3.6kW图腾柱PFC的演示板上测量到了99.3%的峰值效率。我们还介绍FET-JET计算器，它是一款非常实用的在线工具，可以为各种拓扑提供器件选择指导，并能即时计算出器件损耗、结温等。最后，我们讨论使用UnitedSiC第4代FET实现一种更具性价比的图腾柱PFC方案的选择。
基于SiC（碳化硅）的设计可以为您的终端系统带来显著的效率和总体性能的提高。在本视频中，UnitedSiC研发高级工程师李中达博士介绍了现在电力设计师在将基于Si（硅）器件的设计升级、开始新的SiC器件的设计和寻找替代现有的SiC器件设计时面临的挑战，推荐了最新的SiC集成电路，并讲解如何简化、准确和快速地实现SiC设计的关键技巧。
UnitedSiC研发高级工程师李中达博士详细介绍了UnitedSiC基于Cascode的FET器件。Cascode结构本质是驱动SiC JFET的S极，实现高性能的FET器件。
本视频介绍了精简的RC缓冲电路是如何有效控制关断尖峰电压VDS和SiC器件的噪声，以及使用RC缓冲电路比使用高Rg关断电阻更高效。我们还将展示如何让RC缓冲电路电阻损耗远小于常规计算值，从而允许使用SMD电阻。波形和开关损耗数据将证明搭配小RC缓冲电路的SiC器件的优异性能。最后，我们将展示如何使用缓冲电路改善快速SiC器件的双兼容性。
大功率LED驱动电源的功率在几百瓦至1,000瓦以上，其应用场景包括植物照明、户外景观照明、体育场馆照明、室内仓储照明和渔业照明等等。大功率LED驱动电源是典型的AC-DC电源拓扑，其生压式PFC的开关管和二极管和后极的DC/DC的功率器件都需要用到至少900v以上的电压规格的器件，对应的是UnitedSiC 1200V SiC FET器件。
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