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UnitedSiC SiC FET多种产品选择增强设计灵活性

UnitedSiC亚太区现场应用工程师经理Richard Chen介绍了UnitedSiC 从18mΩ到60mΩ 多种750V SiC FET产品在图腾柱PFC应用中的弹性,及其如何帮助设计人员实现了更大的设计灵活性、实现最佳的性价比。

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如何实现简单和高性价比的高效率图腾柱PFC设计

图腾柱无桥PFC是一种结构简单的PFC拓扑,同时可以实现很高的效率以及功率双向转换的功能。本视频中,UnitedSiC工程师介绍了UnitedSiC 第4代750V 碳化硅FET的突破性性能,以及它如何实现简单和高性价比的高效率图腾柱PFC设计,并在一个3.6kW图腾柱PFC的演示板上测量到了99.3%的峰值效率。我们还介绍FET-JET计算器,它是一款非常实用的在线工具,可以为各种拓扑提供器件选择指导,并能即时计算出器件损耗、结温等。最后,我们讨论使用UnitedSiC第4代FET实现一种更具性价比的图腾柱PFC方案的选择。

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5种简化碳化硅方案设计的技巧

基于SiC(碳化硅)的设计可以为您的终端系统带来显著的效率和总体性能的提高。在本视频中,UnitedSiC研发高级工程师李中达博士介绍了现在电力设计师在将基于Si(硅)器件的设计升级、开始新的SiC器件的设计和寻找替代现有的SiC器件设计时面临的挑战,推荐了最新的SiC集成电路,并讲解如何简化、准确和快速地实现SiC设计的关键技巧。

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UnitedSiC基于Cascode的FET器件

UnitedSiC研发高级工程师李中达博士详细介绍了UnitedSiC基于Cascode的FET器件。Cascode结构本质是驱动SiC JFET的S极,实现高性能的FET器件。

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最小化SiC器件EMI和开关损耗

本视频介绍了精简的RC缓冲电路是如何有效控制关断尖峰电压VDS和SiC器件的噪声,以及使用RC缓冲电路比使用高Rg关断电阻更高效。我们还将展示如何让RC缓冲电路电阻损耗远小于常规计算值,从而允许使用SMD电阻。波形和开关损耗数据将证明搭配小RC缓冲电路的SiC器件的优异性能。最后,我们将展示如何使用缓冲电路改善快速SiC器件的双兼容性。

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大功率LED驱动电源开始用上碳化硅器件了

大功率LED驱动电源的功率在几百瓦至1,000瓦以上,其应用场景包括植物照明、户外景观照明、体育场馆照明、室内仓储照明和渔业照明等等。大功率LED驱动电源是典型的AC-DC电源拓扑,其生压式PFC的开关管和二极管和后极的DC/DC的功率器件都需要用到至少900v以上的电压规格的器件,对应的是UnitedSiC 1200V SiC FET器件。

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